The Effect of RF Power and Sputtering Background Pressure on Structural Properties of a:Si

Çetin H., Akkaya A., Güneri E., Soylu M. Ç., Ayyıldız E.

2nd International Congress on Semiconductor Materials and Devices (ICSMD 2018), Ardahan, Türkiye, 28 - 31 Ağustos 2018, ss.57, (Özet Bildiri)

  • Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
  • Basıldığı Şehir: Ardahan
  • Basıldığı Ülke: Türkiye
  • Sayfa Sayıları: ss.57
  • Yozgat Bozok Üniversitesi Adresli: Evet