Gama ve beta ışınlarının grafen alan etkili transistör karakteristikleri üzerine etkisi

---

Tezin Türü: Yüksek Lisans

Tezin Yürütüldüğü Kurum: Yozgat Bozok Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, FİZİK ANABİLİM DALI, Türkiye

Tezin Onay Tarihi: 2015

Tezin Dili: Türkçe

Öğrenci: MERVE EREN

Danışman: HİDAYET ÇETİN

Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu

Özet:

Grafende hacimsel kısım olmadığından yüzeyde oluşacak bir etki tüm elektriksel karakteristiklere yansımaktadır ve bu özellik hassas radyasyon sensörü üretimine imkan verebilir. Böylece bu tez çalışması, Si/SiO2 üzerine konumlandırılmış grafenin elektriksel karakteristiklerini gama ve beta radyasyonu altında bir değişim gösterip göstermeyeceğini incelemeyi hedeflemiştir. Radyasyon kaynakları olarak gama kaynağı için1.33MeV enerjili 60Co, beta kaynağı için ise 0.546 MeV enerjili 90Sr ve 0.971 MeV enerjili 131I kullanılmıştır. Deneysel sonuçlar SiO2/n++-Si üzerine üretilmiş Grafen Alan Etkili Aygıtın gama ışınlarından ziyade beta ışınlarına tepki verdiğini göstermektedir. Bazı durumlarda tepki, kaynak-akaç akımının %95 inin üzerine çıkmaktadır. Anahtar Kelimeler: Grafen, Radyasyon, 60Co, 90Sr, 131I, Beta